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GIMS：Gas Ion Source Enhanced Magnetron Sputter，氣體離子源增強磁控溅射技術，分爲兩種：彙聚氣離溅射（Focus GIMS）和空分氣離溅射（Separate GIMS）。
離子源的作用：
1、等離子體清洗
2、離化反應氣體
3、輔助沉積
4、抑制靶中毒
5、後離子氧化處理
彙聚氣離溅射技術
氣體離子源對反應氣體進行離化和布氣，在離子源電源電場的作用下，大量氣體離子獲得動能（溫度）飛向工件表面，產生轟擊作用，從而有效的增強了磁控溅射的反應離子镀膜效應。在反應镀膜過程中，氣體離子轟擊工件表面，表面上不穩固的離子被轟落，膜層結構被“夯實”，更加致密和平滑。
該技術應用在類金剛石（DLC）镀膜中，取得了非常好的效果。
空分氣離溅射技術
在同一氣離溅射镀膜系統上，將氣體離子源的布氣方向轉離開磁控溅射靶的镀膜區域。實現了磁控溅射金屬镀膜過程和氣體離子源離化轟擊反應過程在“空間”上的分離。一個工件在通過磁控溅射對靶時塗覆金屬性膜層，再移動到氣體離子源面前時進行反應氣體離子的轟擊反應過程（如氮化），這就是所謂的空（間）分（離）氣離溅射反應離子镀。
對于控制溅射靶的毒化有非常好的效果，使反應溅射離子镀更加可控，镀膜的窗口更寬。
空分氣離溅射工作狀態
空分氣離溅射工作狀態
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